5SHY5055L0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101 Тиристор IGCT

5SHY5055L0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101 Тристор IGCT

5SHY5055L0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101

Рабочий принцип IGCT основан на технологии GTO, но благодаря использованию технологии жесткого управления и интегрированной схемы управления затвором и антипараллельного диода, цепь гашения искрения исключается, так что как потери при включении GTO низкие, так и выключение IGBT равномерно. Эта конструкция делает IGCT обладает широким пространством применения в области среднего напряжения и высокой мощности. Кроме того, IGCT время выключения на 30% меньше, чем у GTO, потребление энергии на 40% меньше, и цепь гашения искрения не требуется, он может включаться как тиристор и выключаться как IGBT, с очень низкими потерями мощности

5SHY5055L0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101

Сравнение IGCT и IGBT

● Структура чипа и технология изготовления

● Рабочий принцип и форма упаковки

● Сравнение рабочих частот, способности к выключению и т.д.

Модульный многоуровневый преобразователь высокого напряжения и большой мощности (MMC)

● Средне- и высоковольтный высокочастотный преобразователь

● Применение на месте локализации

Технические характеристики IGCT

● Динамические потери снижены примерно на 50%

● Низкое напряжение падения в прямом направлении, высокое блокирующее напряжение

● Интегрированный диод непрерывного тока для достижения стабильных характеристик переключения тиристоров

Конструкция и оптимизация IGCT

● Исследования технологии клепанья, проектирование согласования балансных параметров

● Исследования по повторной оптимизации конструкции силового модуля

● Технология зажатия и защиты IGCT

Тестирование и валидация IGCT

● Разработка испытательного стенда высокого напряжения

● Конструкция высоковольтного силового модуля IGCT

● Проверка функции обнаружения статуса и логического управления

Контроллер AC 800M PM864AK01 3BSE018161R1 Блок процессора - PM864K01, Система мониторинга состояния 60M100 - Bently Nevada 60M100-00, Полупроводниковое силовое устройство 5SHY5055L0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101,Полупроводниковое силовое устройство 5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 3BHE039203R0101 GVC736CE101,5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101,5SHY3545L0009 3BHB013085R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101,5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181,5SHX2645L0002 3BHB012961R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE01,5SHY35L4520 5SXE10-0181 AC10272001R0101,5SHY35L4512,5SHY5055L0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101,5SHX1445H0001 3BHL000391P0101 3BHB003230R0101 5SXE05-0152,5SHX2645L0004 3BHL000389P0104 3BHB003154R0101 5SXE04-0150/GVC707AE01

5SHX0445D0001

　　3BHL000462R0020

　　3BHL000181P0001

　　3BHL000495P0003

　　3BHL000259P0001

　　3BHL000382P0101

　　ABB IGCT 5SHX0445D0001

　　5SHY 3545L0006 Модуль IGCT

　　5SHX2645L0002 Модуль IGCT RC 91

　　Модуль IGCT 5SHY 3545L0009

　　5SHY 3545L0010 Модуль IGCT

　　5SHX 1960L0005, 91 мм RC-IGCT

　　RC-IGCT 5SHX 1960L0006, 91 мм GVC736

　　5SHY 4045L0001 МОДУЛЬ ИГКТ

　　5SHX 1060H0003, 68MM RC-IGCT

　　МОДУЛЬ ИГКТ 5SHY 3545L0016, 4500В, 91MM

　　ИГКТ 4500В, 91MM, 5SHY 4045L0003

　　4500В, 91MM, 5SHY 4045L0004GVC736 ИГКТ

　　ТРИК ИГКТ 5SHY5055L0002 5.5КВ 91MM

　　ИГКТ 4500В, 91MM, 5SHY 3545L0014

　　МОДУЛЬ ИГКТ 5SHY 3545L0014, 4500В, 91MM

　　ИНСТРУМЕНТ ДЛЯ ЗАМЕНЫ ИГКТ ИГКТ

　　HL000181R0001 2 ШТ. ИГКТ

　　5SHX0445D0001 ИГКТ

　　5SHX0445D0001 ИГКТ

　　5SHX0360D0001 ИГКТ

　　5SHX0445D0001

　　5SHX0360D0001 ИГКТ

　　5SHX0845F0001 ИГКТ

　　5SHX0845F0001 ИГКТ

　　5SHX0660F0001 ИГКТ

　　5SHX0660F0001 ИГКТ

　　5SHX1445H0002 ИГКТ

　　5SHX1060H0002 ИГКТ

　　5SHX2645L0001 ИГКТ

　　5SHX2645L0004 ИГКТ

　　5SHX1960L0001 ИГКТ

　　5SHX1960L0004 ИГКТ

　　5SHX1445H0001 ИГКТ

　　5SHX1445H0001 ИГКТ

　　5SHX0860H0001 ИГКТ